Toshiba et ont profité de l'International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) pour dévoiler leur nouveau chip de mémoire NAND Flash (mémoire non-volatile avec écriture et lecture rapides) gravé avec une technologie de 70 nanomètres (ou 0.07 micron). Ce chip unique peut stocker 8 Gbit ou 1 Go de données. Il offre une vitesse d'écriture de 6 Mo/sec et une vitesse de lecture de 60 Mo/sec, ce qui représente un gain de performance de l'ordre de 40% par rapport à la précédente génération de mémoire NAND.
Ce nouveau chip commencera à être produit en grande quantité à partir de cet été. Les deux firmes prévoient également de proposer deux chips de ce type encapsuler afin d'offrir une capacité
stockage cumulée de 2 Go. Ces modules mémoires pourront être utilisés dans les prochains baladeurs audio numérique, appareils photo numérique, ordinateurs de poche et autres téléphones mobiles.
