Comme Sandisk avant lui, Samsung entend donc augmenter la quantité de données qui peuvent être stockées au sein d'une cellule de mémoire Flash. Habituellement, une cellule de type MLC (Multi Level Cell) est capable d'adopter quatre états différents, ce qui permet de loger deux bits de données. En passant à 3 bits par cellule, Samsung offre une augmentation de la capacité de 50%, pour une consommation électrique très proche. Cette augmentation de la densité permet également de réduire les coûts de fabrication, indique le fabricant, mais ne sera pas sans impact sur les performances. Dans un premier temps, ces puces à bits par cellule devraient donc être cantonnées au marché des cartes mémoire et des clés USB. Pour fonctionner, elles devront être associées à un contrôleur compatible, également fourni par Samsung, qui les commercialisera pour commencer sur des cartes mémoires Micro SDHC de 8 Go.
Les amateurs de performance devraient quant à eux trouver leur compte avec la seconde variante de ces puces Flash en 30 nanomètres : un module de 32 Gb (4 Go) de mémoire Flash MLC, associé cette fois à une interface de type DDR asynchrone. De quoi atteindre, selon Samsung, des débits de l'ordre de 133 Mbps, trois fois supérieurs à ce qu'offrent les puces de Flash MLC standard, sans augmentation sensible de la consommation électrique. Ces puces, déjà en production, pourront être utilisées dans tout type de périphérique et d'appareils, des SSD aux baladeurs, téléphones et autres appareils photo.
